LSAT Substrate
ဖော်ပြချက်
(La, Sr) (Al, Ta) O 3 သည် အပူချိန်မြင့်မားသော စူပါကွန်ဒတ်တာများနှင့် အောက်ဆိုဒ်ပစ္စည်းများ အမျိုးမျိုးဖြင့် ကောင်းစွာလိုက်ဖက်သော ရင့်ကျက်သော ပုံဆောင်ခဲမဟုတ်သော perovskite crystal တစ်ခုဖြစ်သည်။lanthanum aluminate (LaAlO 3) နှင့် strontium titanate (SrO 3) ကို ကြီးမားသော သံလိုက်လျှပ်စစ်နှင့် superconducting ကိရိယာများတွင် လက်တွေ့အသုံးချမှု အများအပြားဖြင့် အစားထိုးမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
သတ္တိ
| ကြီးထွားမှုနည်းလမ်း | CZ တိုးတက်မှု |
| အရည်ကြည်စနစ် | ကုဗ |
| Crystallographic Lattice Constant | a= 3.868 A |
| သိပ်သည်းဆ (g/cm3) | ၆.၇၄ |
| အရည်ပျော်မှတ် (℃) | ၁၈၄၀ |
| မာကျော (Mho) | ၆.၅ |
| အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း | ၁၀x၁၀-6K |
LaAlO3 Substrate အဓိပ္ပါယ်
LaAlO3 အလွှာသည် အခြားပစ္စည်းများ၏ပါးလွှာသောဖလင်များကြီးထွားလာရန်အတွက် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာအသုံးချမှုတွင် အသုံးပြုသည့် သီးခြားပစ္စည်းတစ်ခုအား ရည်ညွှန်းသည်။၎င်းတွင် ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံခြင်းနယ်ပယ်တွင် အများအားဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိသော lanthanum aluminate (LaAlO3) ၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ ပါဝင်သည်။
LaAlO3 အလွှာများသည် ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေး၊ ကောင်းမွန်သော ရာဇမတ်ကွက်များနှင့် မကိုက်ညီဘဲ၊ epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် သင့်လျော်သော မျက်နှာပြင်ကို ပေးစွမ်းနိုင်မှုကဲ့သို့သော ပါးလွှာသော ဖလင်များကို ကြီးထွားစေရန် နှစ်လိုဖွယ်ဖြစ်စေသော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။
Epitaxial သည် အလွန်အစီအစဥ်အဖြစ် တည်ဆောက်ရန် အက်တမ်များ၏ အက်တမ်များသည် အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ချပ်ကို ကြီးထွားစေသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။
LaAlO3 အလွှာများကို အီလက်ထရွန်းနစ်၊ optoelectronics နှင့် solid-state physics ကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး၊ ပါးလွှာသော ဖလင်များသည် စက်အမျိုးမျိုးအတွက် အရေးပါသော အရာများဖြစ်သည်။၎င်း၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့် မတူညီသောပစ္စည်းများနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုသည် ၎င်းကို ဤနယ်ပယ်များတွင် သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အရေးကြီးသောအလွှာတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
High-temperature Superconductors အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်
High-temperature superconductors (HTS) များသည် သမားရိုးကျ စူပါကွန်ဒတ်တာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် သာလွန်လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ပြသသည့် ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။သမားရိုးကျ စူပါကွန်ဒတ်တာများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် -200°C (-328°F) အောက်ရှိ အလွန်နိမ့်သော အပူချိန်များ လိုအပ်ပြီး လျှပ်စစ်ခံနိုင်ရည်အား သုညဖြစ်စေပါသည်။ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်၊ HTS ပစ္စည်းများသည် အပူချိန် -135°C (-211°F) နှင့်အထက်တွင် superconductivity ကို ရရှိနိုင်သည်။
