LiAlO2 အလွှာ

LiAlO2 အလွှာသည် လီသီယမ် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ် (LiAlO2) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အလွှာကို ရည်ညွှန်းသည်။LiAlO2 သည် အာကာသအဖွဲ့ R3m မှပါဝင်သည့် ပုံဆောင်ခဲဒြပ်ပေါင်းဖြစ်ပြီး တြိဂံပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံရှိသည်။

LiAlO2 အလွှာများကို အီလက်ထရွန်းနစ်၊ optoelectronic နှင့် photonic ကိရိယာများအတွက် ပါးလွှာသော ဖလင်ကြီးထွားမှု၊ epitaxial အလွှာများနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်၊၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကြောင့်၊ ၎င်းသည် wide bandgap semiconductor ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။

LiAlO2 အလွှာများ၏ အဓိကအသုံးချမှုတစ်ခုမှာ Gallium Nitride (GaN) အခြေပြု စက်ပစ္စည်းများဖြစ်သည့် High Electron Mobility Transistors (HEMTs) နှင့် Light Emitting Diodes (LEDs) များဖြစ်သည်။LiAlO2 နှင့် GaN အကြား ရာဇမတ်ကွက်မတူညီမှုသည် အနည်းငယ်သေးငယ်သောကြောင့် GaN ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် သင့်လျော်သောအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။LiAlO2 အလွှာသည် GaN စုဆောင်းမှုအတွက် အရည်အသွေးမြင့် နမူနာပုံစံကို ပံ့ပိုးပေးသောကြောင့် စက်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

LiAlO2 အလွှာများကို မှတ်ဉာဏ်ကိရိယာများအတွက် ferroelectric ပစ္စည်းများ ကြီးထွားမှု၊ piezoelectric ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အစိုင်အခဲ-စတိတ်ဘက်ထရီများ ထုတ်လုပ်ခြင်းစသည့် အခြားသောနယ်ပယ်များတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။၎င်းတို့၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည့် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ကောင်းမွန်သောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုနှင့် အနိမ့်လျှပ်စစ်ကိန်းသေများကဲ့သို့သော ၎င်းတို့၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများသည် ဤအပလီကေးရှင်းများတွင် အားသာချက်များကိုပေးသည်။

အချုပ်အားဖြင့် LiAlO2 အလွှာသည် လစ်သီယမ် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အလွှာကို ရည်ညွှန်းသည်။LiAlO2 အလွှာများကို အထူးသဖြင့် GaN-based ကိရိယာများ ကြီးထွားမှုနှင့် အခြားသော အီလက်ထရွန်နစ်၊ optoelectronic နှင့် photonic ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အမျိုးမျိုးသော အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။၎င်းတို့တွင် ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များနှင့် အမျိုးအစားကွဲများ စုဆောင်းခြင်းနှင့် စက်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် သင့်လျော်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။