Ge အလွှာ

Ge substrate သည် ဂျာမနီယမ်ဒြပ်စင် (Ge) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အလွှာကို ရည်ညွှန်းသည်။Germanium သည် အီလက်ထရွန်းနစ် နှင့် optoelectronic applications အမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်စေသည့် ထူးခြားသော အီလက်ထရွန်းနစ် ဂုဏ်သတ္တိများရှိသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

အထူးသဖြင့် semiconductor နည်းပညာနယ်ပယ်တွင် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရာတွင် Ge substrates များကို အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။၎င်းတို့ကို ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များနှင့် ဆီလီကွန် (Si) ကဲ့သို့သော အခြား semiconductor များ၏ epitaxial အလွှာများ အပ်နှံရန်အတွက် အခြေခံပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။Ge substrates များကို မြန်နှုန်းမြင့် transistors၊ photodetectors နှင့် solar cells ကဲ့သို့သော applications များအတွက် သီးခြားဂုဏ်သတ္တိများရှိသော heterostructures နှင့် compound semiconductor အလွှာများကို ကြီးထွားရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။

Germanium ကို photonics နှင့် optoelectronics များတွင်လည်း အသုံးပြုပြီး အနီအောက်ရောင်ခြည် (IR) detectors များနှင့် မှန်ဘီလူးများ ကြီးထွားလာရန်အတွက် အလွှာအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။Ge substrates များသည် အနီအောက်ရောင်ခြည် အသုံးချမှုများအတွက် လိုအပ်သော ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိပြီး အလယ်အလတ် အနီအောက်ရောင်ခြည် ဧရိယာအတွင်း ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှု အကွာအဝေး နှင့် အပူချိန်နိမ့်သော တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိသည်။

Ge အလွှာများသည် ဆီလီကွန်နှင့် အနီးကပ်လိုက်ဖက်သော ရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံရှိပြီး Si-based အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစည်းရန်အတွက် သဟဇာတဖြစ်စေသည်။ဤသဟဇာတဖြစ်မှုသည် ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းပုံများကို ဖန်တီးခြင်းနှင့် အဆင့်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် ပုံသဏ္ဌာန်ဆိုင်ရာ စက်ပစ္စည်းများကို တီထွင်နိုင်စေပါသည်။

အချုပ်အားဖြင့် Ge substrate သည် အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် optoelectronic applications များတွင် အသုံးပြုသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည့် ဂျာမနီယမ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အလွှာကို ရည်ညွှန်းပါသည်။၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်၊ optoelectronics နှင့် photonics နယ်ပယ်များတွင် အမျိုးမျိုးသော စက်ပစ္စည်းများကို တီထွင်ဖန်တီးနိုင်စေမည့် အခြားသော semiconductor ပစ္စည်းများ ကြီးထွားမှုအတွက် ပလပ်ဖောင်းတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။