BSO အလွှာ
ဖော်ပြချက်
Bi12SiO၂၀ပုံဆောင်ခဲ Bismuth silicate ပုံဆောင်ခဲများတွင် photoelectric၊ photoconductive၊ photorefractive၊ piezoelectric၊ acousto-optic၊ dazzle နှင့် Faraday rotation ကဲ့သို့သော ဘက်စုံသုံးအချက်အလက် ပစ္စည်းများပါရှိသည်။
ရရှိနိုင်သောအတိုင်းအတာ- 30x30x2mm၊ 10x10x2mm၊ 5x5x2mm၊ 3x3x2mm စသည်တို့။
ဦးတည်ချက်- (၁၁၀)(၁၀၀)(၁၁၁)၊
သတ္တိ
| အရည်ကြည် | Bi12SiO20(BSO) |
| Symmetry | ကုဗ၊ ၂၃ |
| အရည်ပျော်မှတ် (℃) | ၉၀၀ |
| သိပ်သည်းဆ (g/cm3) | ၉.၂ |
| မာကျော (Mho) | ၄.၅ |
| ပွင့်လင်းမြင်သာမှုအပိုင်း | 450 – 7500 nm |
| Transmittance မှာ 633 nm ဖြစ်သည်။ | 69% |
| 633 nm တွင် အလင်းယပ်ညွှန်းကိန်း | ၂.၅၄ |
| Dielectric Constant | 56 |
| Electro-optic Coefficient | r41= ၅ x ၁၀စာ-၁၂m/V |
| ခုခံနိုင်စွမ်း | ၅ x ၁၀11W-cm |
| ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့် | ၀.၀၀၁၅ |
BSO Substrate အဓိပ္ပါယ်
BSO substrate သည် "Silicon Oxide Substrate" ဖြစ်သည်။၎င်းသည် သိပ္ပံနည်းကျ နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ ကြီးထွားလာရန်အတွက် အလွှာတစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုသည့် သီးခြားပစ္စည်းအမျိုးအစားကို ရည်ညွှန်းသည်။
BSO အလွှာသည် လျှပ်ကာပစ္စည်းဖြစ်သည့် bismuth ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းတွင် မြင့်မားသော dielectric ကိန်းသေနှင့် ခိုင်ခံ့သော piezoelectric ဂုဏ်သတ္တိများကဲ့သို့သော ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် optoelectronics၊ microelectronics၊ sensors စသည်တို့အတွက် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။
အလွှာအဖြစ်အသုံးပြုသောအခါ BSO သည်ပါးလွှာသောဖလင်ကြီးထွားမှုအတွက်သင့်လျော်သောမျက်နှာပြင်ကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။BSO အလွှာများတွင် စိုက်ပျိုးထားသော ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များသည် အပ်နှံထားသော ပစ္စည်းပေါ်မူတည်၍ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများ သို့မဟုတ် လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ပြသနိုင်သည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ BSO အလွှာများတွင် စိုက်ပျိုးထားသော ferroelectric ပစ္စည်းများ၏ ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များသည် ferroelectric ဂုဏ်သတ္တိများကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။
ယေဘုယျအားဖြင့် BSO အလွှာသည် ပါးလွှာသော ဖလင်နည်းပညာနှင့် နယ်ပယ်အသီးသီးတွင် သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အရေးကြီးသောပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး ပါးလွှာသောဖလင်ကြီးထွားမှုနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
Crystal Orientation
Crystal orientation သည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံအတွင်း သလင်းကျောက်ပြားများ၏ ဦးတည်ချက်နှင့် စီစဉ်မှုကို ရည်ညွှန်းသည်။သလင်းကျောက်များတွင် အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ၏ ထပ်ခါတလဲလဲ ပုံစံများ ပါရှိပြီး သုံးဖက်မြင် ရာဇမတ်ကွက်များ ဖြစ်သည်။ပုံဆောင်ခဲတစ်ခု၏ တိမ်းညွှတ်မှုကို ၎င်း၏ ရာဇမတ်ကွက်များနှင့် axes များ၏ သီးခြားအစီအစဉ်ဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။
Crystal orientation သည် crystals များ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကို ဆုံးဖြတ်ရာတွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။၎င်းသည် လျှပ်စစ်နှင့် အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အလင်းအမူအရာကဲ့သို့သော ဂုဏ်သတ္တိများကို သက်ရောက်မှုရှိသည်။ကွဲပြားသော ပုံဆောင်ခဲ တိမ်းညွှတ်မှုများသည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံအတွင်း အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ အပြောင်းအလဲကြောင့် မတူညီသော ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြသနိုင်သည်။
